二維材料薄膜-器件定制

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二維材料

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CVD轉移生長MX2單分子膜

Substrate: Sapphire (c-cut) Quartz (Silica) TEM grids (please supply grids) Thermal Oxide (SiO2/Si) Polyethylene terephthalate – PET Substrates Pick your own substrates (please define the substrate ty

更新時間：2024-06-03

產品價格：7579.65

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CVD缺陷生長二維層

Newly acquired ion implantation accelerator unit allows 2Dsemiconductors USA to create desired amounts of defects by alpha particle irradiation process at select amount of doses.

更新時間：2024-06-03

產品價格：8900

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基于SiO2/Si晶片的雙層CVD石墨烯薄膜

基于SiO2/Si晶片的雙層CVD石墨烯薄膜將兩層單層CVD石墨烯膜轉移到285nm p摻雜的SiO 2 / Si晶片上尺寸：1cmx1cm; 8片將每個石墨烯膜連續轉移到晶片上我們的石墨烯薄膜的厚度和質量由拉曼光譜控制該產品的石墨烯覆蓋率約為98％石墨烯薄膜是連續的，具有小孔和有機殘留物每個石墨烯薄膜主要是單層（超過95％），偶爾有少量多層（低于5％的雙層）由于沒有A-B堆疊

更新時間：2024-06-03

產品價格：7140.25

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德國2DNext大面積機械剝離2L/3L材料

德國2D Next主要提供機械剝離的超大尺寸二維材料，可以提供在眾多基底上的轉移技術，如二氧化硅，藍寶石，CVD金剛石等，可用材料包括MoS2，MoSe2，WS2，WSe2等，提供三種尺寸的機械剝離2L/3L材料，分別為50um,75um,100um

更新時間：2024-06-03

產品價格：13520

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CVD GaSe

Chemical vapor deposited (CVD) GaSe films have been synthesized at our facilities in 2019. Bulk GaSe is a 2.0 eV direct semiconductor with exciting second harmonic, optical.

更新時間：2024-06-03

產品價格：6481.15

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定制單層二硫化鉬-帶電極

1．將單層硫化鉬轉移至襯底（襯底可根據客戶需求選定）$n2．邊長15um （三角形）片內層數均勻$n3．襯底上轉移3個（數量可定制）帶電極的單層硫化鉬樣品$n4．電極間距：~5um

更新時間：2024-06-03

產品價格：7200

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