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      單層氧化石墨烯(H法/進口)

      簡要描述:單層氧化石墨烯(H法/進口) Single Layer Graphene Oxide (H Method)
      制備方法:改良的H法
      直徑:1~5um
      厚度:0.8~1.2nm
      單層比:99%
      純度:99%
      堆積密度:0.44g/cm3
      體積密度:為0.26g/cm3

      • 更新時間:2024-06-04
      • 產品型號:
      • 廠商性質:生產廠家
      • 訪  問  量:641

      詳細介紹

      單層氧化石墨烯(H法/進口) Single Layer Graphene Oxide (H Method)
      制備方法:改良的H法
      直徑:1~5um
      厚度:0.8~1.2nm
      單層比:99%
      純度:99%
      堆積密度:0.44g/cm3
      體積密度:為0.26g/cm3




      TEM of Graphene Oxide




      *The TEM analysis was completed through dispersing ACS-Material Graphene Oxide into water or ethanol with the help of ultrasound


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